NewsLetter LSI(メモリー)〜「VLSIシンポジウム」 ハイバンドDRAMや システムLSIに注目
日経マイクロデバイス 第179号 2000.5.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第179号(2000.5.1) |
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ページ数 | 1ページ (全975字) |
形式 | PDFファイル形式 (37kb) |
雑誌掲載位置 | 166ページ目 |
DRAMシステムLSI学会 実効バンド幅の向上を狙ったDRAM設計技術,高集積システムLSI向けプロセス技術が6月13日〜17日に米国ハワイで開かれる「2000 Symposium on VLSI Technology/Circuits」の注目点になる。 DRAMでは,キャッシュ用途のチャネルを内蔵した次世代DRAMについて,ミスヒット時のレイテンシを削減する技術をNECが披露する。200MHz動…
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