ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜新型メモリーの基本動作を 日立ヨーロッパと 英Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ大学が確認
日経マイクロデバイス 第169号 1999.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第169号（1999.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全370字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （37kb） |
| 雑誌掲載位置 | 133ページ目 |
ＤＲＡＭ強誘電体メモリー 日立ヨーロッパと英Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ大学は共同で，新型メモリーの基本動作を確認した。１トランジスタ・セル構造，不揮発性，ＤＲＡＭ並みの書き込み・読み出し時間といった究極のメモリーの特徴を備える。構造は以下の通り。ｎ＋型多結晶ＳｉとＳｉＯ２の上に，多結晶ＳｉとＳｉ３Ｎ４を２〜３層重ね，さらにｎ＋型多結晶Ｓｉを載せる。両側に絶縁膜を介してｐ＋型多結晶Ｓｉを付ける。下側のｎ＋型…
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