ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜０．１７５μｍと０．１５μｍの ＣＭＯＳ技術を東芝が 台湾Ｗｉｎｂｏｎｄに供与
日経マイクロデバイス 第167号 1999.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第167号（1999.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全536字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 168ページ目 |
東芝は，台湾Ｗｉｎｂｏｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐ．に対して６４Ｍビット，１２８Ｍビット，２５６ＭビットＤＲＡＭ向けの０．１７５μｍと０．１５μｍのＣＭＯＳプロセス技術をライセンス供与すると発表した。Ｗｉｎｂｏｎｄはこの技術を使って自社ブランドのＤＲＡＭを製造する一方で，東芝に対してＤＲＡＭをＯＥＭ供給する。この提携により，ＷｉｎｂｏｎｄはＤＲＡＭの品ぞろえを最先端のプロセス技術を使っ…
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