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日経ものづくり 第635号 2007.8.1
| 掲載誌 | 日経ものづくり 第635号（2007.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2662字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （847kb） |
| 雑誌掲載位置 | 92〜93ページ目 |
６月２６日 次世代の超小型不揮発性メモリーに利用可能な原子スイッチの基本原理を 産総研が確認産業技術総合研究所（産総研）は，ナノスケールの空隙間（ギャップ）を金属電極間に設け電圧を印加すると，抵抗スイッチ効果が発現することを見いだした。金属原子の物質移動によりギャップ幅が狭まることから，トンネル抵抗が変化するためとみている。硫化銀（ＡｇＳ）や硫化銅（ＣｕＳ）を用いて，原子の物質移動により電極間の接…
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