Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ　特集３　台頭、中国パワー半導体〜中国がＳｉＣで主導権　先端研究でも存在感
日経エレクトロニクス　第1269号　2024.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1269号（2024.11.1）
ページ数	6ページ　（全7219字）
形式	PDFファイル形式　（1771kb）
雑誌掲載位置	74〜79ページ目

第１部：技術動向中国がパワー半導体の実力を付けてきた。炭化ケイ素（ＳｉＣ）ウエハーでシェアを伸ばし、多くの素子メーカーが生まれている。先端研究の場でも台頭し、大学から豊富な人材がパワー半導体業界に入ってきている。窒化ガリウム（ＧａＮ）や酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）の研究開発にも力を注ぐなど、次世代パワー半導体を中心に中国は主導権を握りつつある。中国が特に存在感を高めているのはＳｉＣの分野である。目下…