Ｐｒｏｄｕｃｔ′ｓ Ｔｒｅｎｄｓ〜ＳＴＭｉｃｒｏが１８ｎｍのＦＤ−ＳＯＩマイコン 相変化メモリーを内蔵 ほか
日経エレクトロニクス 第1266号 2024.8.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1266号（2024.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2263字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （430kb） |
| 雑誌掲載位置 | 86〜87ページ目 |
０１ＳＴＭｉｃｒｏが１８ｎｍの ＦＤ−ＳＯＩマイコン相変化メモリーを内蔵 スイスＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ（ＳＴマイクロエレクトロニクス）と韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ（サムスン電子）は、相変化メモリー（ＰＣＭ）を内蔵可能な１８ｎｍ ＦＤ−ＳＯＩプロセスを共同開発した。ＳＴＭｉｃｒｏはこの技術による産業向けＡｒｍコアマイコン（ＳＴＭ３２）を、２０２４年下期からサンプル出荷す…
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