Ｅｍｅｒｇｉｎｇ　Ｔｅｃｈ　解説　パワー半導体〜次々世代のパワー半導体材料たち　圧倒的潜在力も実用の道のりは遠く
日経エレクトロニクス　第1249号　2023.3.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1249号（2023.3.1）
ページ数	4ページ　（全3816字）
形式	PDFファイル形式　（845kb）
雑誌掲載位置	74〜77ページ目

パワーデバイス材料は一般にバンドギャップが広いほど優れた特性を持つ傾向にある。そのため、炭化ケイ素（ＳｉＣ）のバンドギャップエネルギー（３．３ｅＶ）を大きく上回る窒化アルミニウム（ＡｌＮ、約６ｅＶ）、立方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ、約６．５ｅＶ）、ルチル型二酸化ゲルマニウム（ｒ−ＧｅＯ２、約４．６ｅＶ）は、出色の材料といえる（表１）。一方、これらの材料には克服すべき課題が数多く残っており、研究ステージ…