Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜ＮＡＮＤフラッシュがついに３００層に 記録面密度も前年比５５％増
日経エレクトロニクス 第1248号 2023.2.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1248号（2023.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全4295字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （637kb） |
| 雑誌掲載位置 | 34〜36ページ目 |
半導体回路技術のオリンピックとも呼ばれる国際学会「２０２３ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＳＳＣＣ ２０２３）」（米国サンフランシスコ、２０２３年２月１９日〜２３日）で、ＮＡＮＤフラッシュメモリーの技術が大きく前進する。ＩＳＳＣＣの極東委員会が２０２２年１１月１７日に東京で開催した事前会見で明らかにした。 具体的には、米Ｉｎｔｅｌ（イ…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 550円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「3ページ（全4295字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜ＩＳＳＣＣに驚きの異変 採択論文数で中国が米国を逆転
Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜オランダＡＳＭＬが韓国に大型投資 米国の中国制裁で韓国に漁夫の利
Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜ＮＴＴ「ＩＯＷＮ」が２０２３年３月商用スタート 第１弾となるオール光「ＡＰＮ」の実力
Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ 特集１ 昇日のポストＳｉＣ〜昇日のポストＳｉＣ
Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ 特集１ 昇日のポストＳｉＣ〜軍事・宇宙でポストＳｉＣに参入余地 あの電磁砲で使われる可能性も
