Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜オン抵抗４３％低減のＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 東芝が２０２２年８月に量産開始
日経エレクトロニクス 第1244号 2022.10.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1244号（2022.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全2424字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1296kb） |
| 雑誌掲載位置 | 13〜15ページ目 |
東芝デバイス＆ストレージは、同社の第３世代ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴを２０２２年８月下旬から量産を始めた。同社は第３世代の試作素子を測定することによって、２０２０年８月下旬に量産を始めた第２世代品に比べて特性が向上することを確認した。例えば、ＭＯＳＦＥＴの単位面積当たりのオン抵抗（ＲｏｎＡ）は約４３％削減できた。 同社は２０２１年１２月に開かれた第１６回 東芝技術サロン「カーボンニュートラル社会の実現に…
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