Hot News〜30年来の課題解決に道 SiC MOSFETのコストを激減
日経エレクトロニクス 第1220号 2020.10.1
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1220号(2020.10.1) |
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ページ数 | 2ページ (全1997字) |
形式 | PDFファイル形式 (576kb) |
雑誌掲載位置 | 10〜11ページ目 |
SiC MOSFETにおける積年の課題の解決に向けた道筋が見えてきた。京都大学と東京工業大学の研究グループは、SiC MOSFETのゲート酸化膜の界面で生じる欠陥の密度を約1/10に低減した。新たな作製プロセスで実現した。欠陥の低減により、パワーエレクトロニクスで需要が多い耐圧600〜1200V級のSiC MOSFETの性能向上やコスト削減を見込める。 例えば、オン抵抗を数分の1まで小さくしてチ…
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