Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈ 電子デバイス〜素子技術全体に刷新の風 強誘電体が台風の目に
日経エレクトロニクス 第1212号 2020.2.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1212号（2020.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 12ページ （全16196字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （3001kb） |
| 雑誌掲載位置 | 61〜72ページ目 |
２０１９年１２月開催の半導体素子技術の国際学会「２０１９ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ （２０１９ ＩＥＤＭ）」では、メモリー、トランジスタ構造、そして３次元集積技術まで、従来路線の継続ではなく、半導体素子技術の大掛かりな再編や刷新につながる発表が目白押しだった。消えかけていた強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）も新材料の登場で復活し、トランジス…
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