Ｅｍｅｒｇｉｎｇ　Ｔｅｃｈ　電子デバイス〜ＳｉＣ／ＧａＮを生かす独創技術　早大・巽研究室が最優秀賞に
日経エレクトロニクス　第1211号　2020.1.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1211号（2020.1.1）
ページ数	4ページ　（全4229字）
形式	PDFファイル形式　（1417kb）
雑誌掲載位置	68〜71ページ目

日経エレクトロニクス（ＮＥ）は、２０１９年１０月に「ＮＥ主催　パワー・エレクトロニクス・アワード２０１９」の最優秀賞を決める審査会を開催した。同アワードは、国内の大学や高等専門学校（高専）の理工系研究室とエレクトロニクス分野のスタートアップ企業の研究開発を応援する「ＮＥイノベーション・アワード」の一環だ。今回も対象はパワーエレクトロニクス分野である。最優秀賞の候補は６つの研究グループ。未来を切り開…