Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈ 電子デバイス〜ＳＴがパワー半導体で攻勢 車載ＳｉＣで首位の座を狙う
日経エレクトロニクス 第1203号 2019.5.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1203号（2019.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全4710字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （2765kb） |
| 雑誌掲載位置 | 51〜54ページ目 |
伊仏合弁のＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓがパワー半導体で攻勢に出ている。現在、パワーデバイス市場ではドイツＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓの後を追うが、ＳｉＣによる次世代パワー半導体で電動車需要を獲得し、トップの座を狙う。２０１９年３月末には、ＳｉＣ開発・製造の本拠地とも言えるイタリア・シチリア島のカターニア工場を報道陣に初めて公開、車載レベルの品質を訴求した。 伊仏合弁の大手半導…
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