Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜ＳｉＣパワー半導体で損失半減 日立伝統のフィン構造が奏功
日経エレクトロニクス 第1196号 2018.10.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1196号（2018.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2257字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （759kb） |
| 雑誌掲載位置 | 16〜17ページ目 |
日立製作所は２０１８年８月３０日、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いた「ＴＥＤ−ＭＯＳ（Ｔｒｅｎｃｈ−Ｅｔｃｈｅｄ Ｄｏｕｂｌｅ Ｄｉｆｆｕｓｅｄ ＭＯＳＦＥＴ）」と呼ぶ素子構造のＥＶ用インバーター向け耐圧１．２ｋＶのパワー半導体を開発したと発表した。 既存のＳｉＣを用いたＭＯＳＦＥＴに比べて損失を約１／２に低減した上に、従来はトレードオフの関係にあった電流オン時の電気抵抗（オン抵抗）値の低減と耐久性の…
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