Ｐｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅ〜新型ＩＧＢＴとＳｉＣダイオードで「フルＳｉＣ」並みの低損失
日経エレクトロニクス　第1187号　2018.1.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1187号（2018.1.1）
ページ数	10ページ　（全11339字）
形式	PDFファイル形式　（4547kb）
雑誌掲載位置	129〜138ページ目

森　睦宏　日立製作所　研究開発グループ　日立製作所は、電力損失が非常に小さい新しいパワーモジュール「ＤｕＳＨ」を開発した。最大の特徴は、トランジスタにＳｉ　ＩＧＢＴを、ダイオードにＳｉＣショットキー・バリア・ダイオード（ＳＢＤ）を利用した、いわゆる「ハイブリッド型」のモジュールながら、ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴと同ＭＯＳＦＥＴのボディーダイオードを利用した「フルＳｉＣ」モジュールに迫る低い電力損失を実現…