Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜東芝、３Ｄ ＮＡＮＤで２００層狙う 生産量急増をＡＩ活用でしのぐ
日経エレクトロニクス 第1176号 2017.2.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1176号（2017.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2357字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （709kb） |
| 雑誌掲載位置 | 14〜15ページ目 |
「３次元フラッシュメモリーでは２００層程度のメモリーセル積層にチャレンジする必要があるだろう」。東芝 代表執行役副社長 ストレージ＆デバイスソリューション社 社長の成毛康雄氏は、２０１６年１２月に開催された半導体関連の展示会「ＳＥＭＩＣＯＮ Ｊａｐａｎ ２０１６」（東京ビッグサイト）の「半導体エグゼクティブフォーラム」の講演で、メモリーセルを３次元方向に積層する３次元フラッシュメモリー（３Ｄ Ｎ…
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