Hot News〜東芝がフラッシュ構造を一新 18年度に90%超を3次元に
日経エレクトロニクス 第1171号 2016.9.1
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1171号(2016.9.1) |
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ページ数 | 1ページ (全1104字) |
形式 | PDFファイル形式 (352kb) |
雑誌掲載位置 | 13ページ目 |
東芝と米Western Digital社は、NANDフラッシュメモリーを製造する東芝・四日市工場の新・第2棟の建屋全体が完成したと発表した。両社は今後メモリー事業に大規模投資を敢行する。東芝は、2016〜2018年度の3年間で計8600億円の設備投資を計画。Western Digital社も2016〜2018年度の3年間で50億米ドルの設備投資を行う。 新・第2棟は、3次元フラッシュメモリー(B…
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