Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜Ｓｉ ＩＧＢＴの性能はまだ伸びる 新構造で損失を３割低減
日経エレクトロニクス 第1170号 2016.8.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1170号（2016.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2318字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （879kb） |
| 雑誌掲載位置 | 14〜15ページ目 |
白物家電に太陽光発電、自動車から鉄道まで、パワーエレクトロニクスの要としてさまざまな機器に利用されているＳｉ ＩＧＢＴ。最近、性能の伸びしろが小さくなったとささやかれ、ＳｉＣやＧａＮといった新しい半導体に置き換わるのではないか、との声が年々大きくなっている。 ２０１６年６月に開催されたパワー半導体の国際会議「ＩＳＰＳＤ ２０１６」では、そうした見方を覆す、新構造のＩＧＢＴの発表が相次いだ。ゲート…
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