Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜パナがパワー半導体に本腰 ＳｉＣやＧａＮの後工程で協業
日経エレクトロニクス 第1156号 2015.6.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1156号（2015.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2645字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （633kb） |
| 雑誌掲載位置 | 22〜23ページ目 |
ＳｉＣは三社電機、ＧａＮはＩｎｆｉｎｅｏｎと協力Ｗｅｂ版ｈｔｔｐ：／／ｎｋｂｐ．ｊｐ／ＮＥ１５０６０２２ パナソニックが、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）といった次世代パワー半導体の後工程で、他社との協業を積極的に進めている。２０１５年３月に２社との提携を相次いで発表した。ＳｉＣ／ＧａＮパワー素子の一層の普及を目指す。 ＳｉＣでは、パナソニックのＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴを搭載した、…
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