Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜３次元ＮＡＮＤが出荷ラッシュ 東芝、ＩｎｔｅｌらがＳａｍｓｕｎｇを追う
日経エレクトロニクス 第1155号 2015.5.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1155号（2015.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2561字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （720kb） |
| 雑誌掲載位置 | 16〜17ページ目 |
Ｗｅｂ版ｈｔｔｐ：／／ｎｋｂｐ．ｊｐ／ＮＥ１５０５０１６ ２０１５年３月、ＮＡＮＤフラッシュメモリーに大きな転機がやってきた。３次元ＮＡＮＤフラッシュメモリー（３次元ＮＡＮＤ）製品において、三つどもえの競争が始まったのである。３次元ＮＡＮＤは、１枚のＳｉチップ内にメモリーセルを積層したメモリーである。 最初に製品化したのは韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社で、２０１３年８月に２４層の「Ｖ…
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