編集から〜ノーベル賞で研究費増? ほか
日経エレクトロニクス 第1150号 2014.12.22
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1150号(2014.12.22) |
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ページ数 | 1ページ (全694字) |
形式 | PDFファイル形式 (281kb) |
雑誌掲載位置 | 137ページ目 |
ノーベル賞で研究費増? 「GaNパワー素子に注目が集まるようになってうれしい限りです」─。国内のあるGaN系半導体の研究者にノーベル物理学賞受賞の感想を尋ねたところ、こうした答えが返ってきました。青色LEDはGaN系半導体で作られます。しかも、受賞者の1人である天野氏は、次の研究テーマは何かと問われるたびに「GaNのパワーデバイスです」と答えています(pp.33─45)。こうしたことから、GaNパ…
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