ＮＥレポート〜１．６ｋｍの加速器を６ｍに　真空管をＳｉＣ代替で実現
日経エレクトロニクス　第1146号　2014.10.27

　ロームは、「ＣＥＡＴＥＣ　ＪＡＰＡＮ　２０１４」（２０１４年１０月７〜１１日、幕張メッセ）で、ＳｉＣパワー素子を使った高電圧パルス発生器を線形加速器に適用した事例を紹介した（図１）。「クライストロン真空管を使った場合に１．６ｋｍだった加速器を６ｍに短縮できる」（説明員）。　展示した高電圧パルス発生器は、電源装置から出力される高電圧の直流を入力し、ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴでチョッピングして高電圧パルス…