ＮＥセレクション パワー半導体〜高品質のＳｉＣ結晶成長技術 ＲＡＦ法で大口径ウエハーを製造
日経エレクトロニクス 第1123号 2013.12.9
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1123号（2013.12.9） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全5935字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1488kb） |
| 雑誌掲載位置 | 90〜95ページ目 |
パワー半導体 第９回ＳｉＣデバイスの普及はウエハーの高品質化とコスト低下に懸かっている。デンソーはＲＡＦ法（ｒｅｐｅａｔｅｄ ａ−ｆａｃｅ ｍｅｔｈｏｄ）という新手法でＳｉＣウエハーの品質向上と大口径化を実現した。ＲＡＦ（ラフ）法は結晶のａ面方向に成長を繰り返すことで転位密度を大幅に削減する。ＲＡＦ法を活用した昇華法で直径６インチのウエハー製造に成功した。ＲＡＦ法を用いたＳｉＣウエハーの製造技術に…
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