論文〜ＭＯＳＦＥＴの雑音特性を　計測する新手法を開発
日経エレクトロニクス　第1122号　2013.11.25

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掲載誌	日経エレクトロニクス　第1122号（2013.11.25）
ページ数	7ページ　（全6737字）
形式	PDFファイル形式　（2243kb）
雑誌掲載位置	87〜93ページ目

大毛利　健治筑波大学大学院　数理物質科学研究科　准教授山田　啓作筑波大学大学院　数理物質科学研究科　教授筑波大学の大毛利氏らの研究グループは、ウエハー上に形成したトランジスタの雑音特性を広い周波数帯域にわたって計測する手法を開発した。半導体の微細化に伴い、雑音の影響が無視できなくなっている。その雑音の正しい把握が、製造技術の改良や設計の最適化につながると期待される。（本誌）　我々の研究グループは、…