NEレポート〜IBMとQualcomm 3次元LSI技術への期待を語る
日経エレクトロニクス 第1107号 2013.4.29
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1107号(2013.4.29) |
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ページ数 | 2ページ (全2079字) |
形式 | PDFファイル形式 (1727kb) |
雑誌掲載位置 | 16〜17ページ目 |
TSV(Si貫通ビア)によってチップを積層する3次元LSI技術への期待が高まっている。2013年4月に大阪で開催された半導体パッケージ技術の国際会議「International Conference on Electronics Packaging(ICEP)2013」では、半導体チップの製造を委託する立場から3件の基調講演があり、そのうち2件が3次元LSIをテーマに掲げていた(図1)。 3次元…
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