クローズアップ　半導体〜デンソーのパワー半導体技術、新日本無線がライセンス取得
日経エレクトロニクス　第1105号　2013.4.1

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掲載誌	日経エレクトロニクス　第1105号（2013.4.1）
ページ数	1ページ　（全1151字）
形式	PDFファイル形式　（178kb）
雑誌掲載位置	102ページ目

　新日本無線とデンソーは２０１３年２月２７日に、「スーパージャンクションＭＯＳトランジスタ」（ＳＪ　ＭＯＳトランジスタ）と呼ぶパワー半導体に関するライセンス契約を締結した。この契約の下、新日本無線はデンソーからＳＪ　ＭＯＳトランジスタの製造技術のライセンスを受ける。この技術は、「トレンチ埋め込みエピ」と呼ぶプロセス技術をデンソーが改良したものである。　新日本無線はこの技術を適用した第１弾製品として…