キーワード〜ＳＴＴ−ＭＲＡＭ
日経エレクトロニクス 第1100号 2013.1.21
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1100号（2013.1.21） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1148字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （222kb） |
| 雑誌掲載位置 | 114ページ目 |
スピン注入磁化反転（ｓｐｉｎ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｔｏｒｑｕｅ：ＳＴＴ）と呼ぶデータ書き換え技術を用いた磁気メモリ（ＭＲＡＭ）のこと。不揮発性で動作速度が速く、書き換え回数が無制限、しかも大容量化しやすいという理想的な性能を備える。「ストレージ（ＨＤＤやＮＡＮＤフラッシュ・メモリ）は不揮発性、それよりも上位階層のメモリは揮発性」という従来のアーキテクチャを一変させるメモリだ。電子機器の主記憶やキャ…
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