ＮＥレポート〜酸化物半導体でｐ型ＦＥＴ ルネサスがＣＭＯＳ化に道
日経エレクトロニクス 第1098号 2012.12.24
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1098号（2012.12.24） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2035字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （411kb） |
| 雑誌掲載位置 | 12〜13ページ目 |
高精細ディスプレイの駆動用トランジスタを中心に実用化が進む酸化物半導体。低温で形成でき、高性能かつ透明という特徴を備えることから、幅広い応用が期待されている。ただし、酸化物半導体には、ｐ型トランジスタを形成しにくいという課題がある。実際、酸化物半導体の代表格として実用化されているＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏトランジスタは、すべてｎ型だ。このため、ｎ型トランジスタとｐ型トランジスタを組み合わせるＣＭＯＳ回…
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