NEレポート〜東芝が3次元メモリを出荷へ 本命はNANDの微細化か
日経エレクトロニクス 第1088号 2012.8.6
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1088号(2012.8.6) |
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ページ数 | 2ページ (全2346字) |
形式 | PDFファイル形式 (656kb) |
雑誌掲載位置 | 12〜13ページ目 |
「思ったよりも遅い」。東芝が発表した3次元メモリの出荷スケジュールを見たある半導体技術者はこう感想を述べた(図1)。 東芝は2012年7月に開催した研究開発戦略説明会で、メモリ・セルを縦方向に積層した3次元NANDフラッシュ・メモリ「BiCS(Bit−Cost Scalable)」と、3次元ReRAM(抵抗変化型メモリ)のプロトタイプ・サンプルを2013年度に出荷すると発表した。2014年度に商…
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