解説２〜微細化は１Ｘｎｍ世代へ ３次元・大面積化も活況
日経エレクトロニクス 第1073号 2012.1.9
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1073号（2012.1.9） |
|---|---|
| ページ数 | 9ページ （全9384字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （4305kb） |
| 雑誌掲載位置 | 59〜67ページ目 |
２０１１年１２月に米国ワシントンＤＣで開催された「ＩＥＤＭ ２０１１」では、２０ｎｍ世代の論理ＬＳＩ技術や１Ｘｎｍ世代のＮＡＮＤフラッシュ・メモリ技術が登場した他、３次元化や大面積化といった新機軸にも注目が集まった。新材料を用いたデバイス技術の発表も活況を呈した。 「半導体では長年、わずか数種類の材料と構造を使い続けてきた。ここに来て、多様な材料と構造を融合させて電子機器の進化につなげる時代に移行…
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