キーワード〜スピン・トランジスタ
日経エレクトロニクス 第1072号 2011.12.26
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1072号（2011.12.26） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全792字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （158kb） |
| 雑誌掲載位置 | 178ページ目 |
情報の担い手として従来の電荷に加え、スピンも利用するトランジスタ。トランジスタそのものを不揮発にできるほか、スイッチング・エネルギーを低減できる可能性もある。実用化は２０２０年以降とみられる。 これまでスピン・トランジスタというと、ゲート電界によってチャネルのスピン状態を反転させる「スピンＦＥＴ」を指す場合が多かった。スピンＦＥＴは不揮発であることに加え、既存のＭＯＳＦＥＴに比べてスイッチング・…
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