特集 半導体×磁気〜第２部＜実現技術＞ 垂直ＭＴＪでＤＲＡＭ代替へ
日経エレクトロニクス 第1071号 2011.12.12
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1071号（2011.12.12） |
|---|---|
| ページ数 | 10ページ （全9654字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （3238kb） |
| 雑誌掲載位置 | 40〜49ページ目 |
磁気技術ベースの不揮発性半導体は、具体的に今後どのように進化していくのか。メモリでは、新たなＳＴＴ方式と垂直磁化ＭＴＪの組み合わせでＤＲＡＭ代替を目指す。ロジックでは、高性能と低電力の両立に向けて、当面は回路的な工夫が不可欠になりそうだ。 磁気技術に基づく不揮発性半導体の進化の道筋が見えてきた（図１）。 メモリでは、これまで小容量にとどまっていたＭＲＡＭの大容量化が今後急ピッチで進む方向である。例…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 550円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「10ページ（全9654字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
特集 半導体×磁気〜日本に新たなノーベル賞候補
特集 半導体×磁気〜第１部＜インパクト＞ 主記憶と論理ＬＳＩを不揮発に
特集 半導体×磁気〜世界の設計者が集う 拠点を日本につくりたい
特集 半導体×磁気〜番外編 磁気技術で勝つ
ＮＥレポート〜進むタイ洪水の排水作業 現地での生産も一部再開
