ＮＥレポート〜異なる結晶構造を採用し ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴを安く高性能に
日経エレクトロニクス 第1070号 2011.11.28
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1070号（2011.11.28） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1135字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （299kb） |
| 雑誌掲載位置 | 17ページ目 |
３Ｃ型ＳｉＣを使ったＭＯＳＦＥＴを基板上に作製（写真：ＨＯＹＡ） パワー半導体材料として、Ｓｉよりも特性が優れるＳｉＣ。ダイオードが徐々に利用され始め、２０１０年にはＭＯＳＦＥＴが製品化された。だが、ＳｉＣ製ＭＯＳＦＥＴはＳｉ製ＩＧＢＴよりも電力損失が小さい、高速なスイッチングが可能、耐熱性が高いなどの特徴を備えるものの、二つの課題がある。 一つはＳｉＣ基板が高価であること、もう一つはチャネル移動…
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