キーワード〜ＭＲＡＭ
日経エレクトロニクス　第1063号　2011.8.22

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掲載誌	日経エレクトロニクス　第1063号（2011.8.22）
ページ数	1ページ　（全1066字）
形式	PDFファイル形式　（259kb）
雑誌掲載位置	114ページ目

　データ記憶部にトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子を用いた、不揮発性の半導体メモリのこと。ＴＭＲ素子は、薄いトンネル絶縁膜を二つの強磁性体電極で挟んだ構造を持ち、両電極の磁化の向きが同じか逆かによって素子を流れる電流値が変わる。この現象をメモリ動作に使う。　ＭＲＡＭの最大の特徴は、記憶素子材料の状態変化や原子の移動を伴わないことから、書き換え回数が事実上、無制限なこと。抵抗変化型メモリ（ＲｅＲＡＭ）や…