解説１〜ＬＳＩに歴史的な技術転換期 あらゆる手段で集積度を向上
日経エレクトロニクス 第1054号 2011.4.18
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1054号（2011.4.18） |
|---|---|
| ページ数 | 10ページ （全10936字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （2041kb） |
| 雑誌掲載位置 | 57〜66ページ目 |
さまざまなチップやモジュールが１チップに集積可能にチップ面積１ｃｍ２当たりのトランジスタ個数の推移。ＭＯＳトランジスタの微細化を２０２０年ごろまで継続することによって、これまで１チップに集積できなかったさまざまな半導体チップやモジュールが集積可能となる。写真はＩｎｔｅｌ社の３２ｎｍ世代のマイクロプロセサ。１５ｎｍ世代や８ｎｍ世代の写真は、３２ｎｍ世代の写真を複数並べるなどしたもの。トランジスタの個…
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