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キーワード〜ストレージ・クラス・メモリ
日経エレクトロニクス 第1053号 2011.4.4
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1053号(2011.4.4) |
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ページ数 | 1ページ (全781字) |
形式 | PDFファイル形式 (200kb) |
雑誌掲載位置 | 130ページ目 |
NANDフラッシュ・メモリよりも高速に動作し、コストがDRAMと同等以下の不揮発性メモリ。メモリとストレージの両方の特徴を併せ持つ技術として、米IBM社が最初に提唱した。同社の定義によると、(1)機械的な駆動部を持たない固体素子であり、(2)DRAM並みにアクセス速度が速く、(3)HDD並みにビット・コストが低く、(4)不揮発性である、という特徴がある。ただし、これは理想像であり、実際には冒頭に…
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