クローズアップ 半導体〜転換点を迎えるＣＭＯＳ技術
日経エレクトロニクス 第1039号 2010.9.20
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1039号（2010.9.20） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全878字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （407kb） |
| 雑誌掲載位置 | 30ページ目 |
論理ＬＳＩの基本素子であるＣＭＯＳトランジスタの進化が，２０１３年ごろに量産化される１５ｎｍ世代で大きな転換点を迎えそうだ。現行の平面型のトランジスタから，３次元方向のチャネルを備えた立体型のトランジスタへ移行する。こうした技術展望を，米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．や台湾Ｔａｉｗａｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．（ＴＳＭＣ）などの大手半導体メーカーがこぞっ…
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