ＮＥレポート〜いよいよ立ち上がるＴＳＶ，メモリと論理ＬＳＩをつなぐ
日経エレクトロニクス 第1034号 2010.7.12
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1034号（2010.7.12） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全1928字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （885kb） |
| 雑誌掲載位置 | 8〜9ページ目 |
エルピーダメモリのＴＳＶ事業化計画 チップ同士を３次元的に接続するＴＳＶ（Ｓｉ貫通電極）の市場が，一気に立ち上がる可能性が出てきた。これまでは画像センサなどの一部の用途に限られていたが，ＴＳＶを使った大容量ＤＲＡＭの量産が早ければ２０１０年内にも始まる見通しとなった。 さらに，２０１２年前後にはＴＳＶによるメモリと論理ＬＳＩの多点接続も始まる可能性が高まった。これにはメモリ・メーカーと論理ＬＳＩ関…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全1928字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
特集 激突するＩｎｔｅｌとＱｕａｌｃｏｍｍ〜王者と王者が繰り広げる，負けられない戦い
特集 激突するＩｎｔｅｌとＱｕａｌｃｏｍｍ〜３Ｇチップがわずか８米ドル， 追いかけるＭｅｄｉａＴｅｋ
ＮＥレポート〜村田製作所のワイヤレス給電，玩具への採用が決まり実用化へ
ＮＥレポート〜日産の新型ＥＶ「リーフ」に試乗，充電や電池切れの不安に配慮
ＮＥレポート〜ｉＰｈｏｎｅ ４のアンテナ問題，分解で浮き彫りになった原因
