ＮＥレポート〜ＨＰ社がＲｅＲＡＭで論理ゲート，不揮発性ロジックなど視野に
日経エレクトロニクス 第1030号 2010.5.17
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1030号（2010.5.17） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1316字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （354kb） |
| 雑誌掲載位置 | 15ページ目 |
試作した１７個のＲｅＲＡＭ素子（幅は５０ｎｍ） 米Ｈｅｗｌｅｔｔ−Ｐａｃｋａｒｄ Ｃｏ．（ＨＰ社）は，次世代の不揮発性メモリの一種である抵抗変化型メモリ（ＲｅＲＡＭ）を用いて，ＮＡＮＤなどの論理ゲートを省面積で構成できることを明らかにした１）。ロジック回路で一般的に用いられるＮＡＮＤゲートはＦＥＴが４個必要だが，ＨＰ社は３個のＲｅＲＡＭ素子でＮＡＮＤゲートを構成可能なことを示した注１）。ＦＥＴより…
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