ＮＥレポート〜「ＤＲＡＭより２５％以上低コスト」，３０ｎｍ以降の代替メモリが登場
日経エレクトロニクス 第1028号 2010.4.19
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1028号（2010.4.19） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1435字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （293kb） |
| 雑誌掲載位置 | 17ページ目 |
Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ社が開発した新しい「Ｚ−ＲＡＭ」のセル。縦型チャネルを二つのゲートで挟む。（写真： Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ社） 「ＤＲＡＭを３０ｎｍ世代以降へ微細化するのは容易ではないだろう。キャパシタが不要な我々のメモリの出番が来る」（米Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ， Ｉｎｃ．， Ｆｏｕｎｄｅｒ，Ｃｈａｉｒｍａｎ ｏｆ ｔｈｅ Ｂｏａｒｄ ａｎｄ ＣＴＯ…
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