解説2〜ポスト・フラッシュの新メモリ,ついに量産間近
日経エレクトロニクス 第1025号 2010.3.8
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1025号(2010.3.8) |
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ページ数 | 8ページ (全10525字) |
形式 | PDFファイル形式 (2748kb) |
雑誌掲載位置 | 71〜78ページ目 |
ポスト・フラッシュ・メモリやポストDRAMを狙う新型メモリ開発が節目を迎えた。従来はメモリ・セルなどの要素技術レベルでの開発が中心だった抵抗変化型メモリ(ReRAM)や,垂直磁化を利用したスピン注入方式MRAMなどの新型メモリが,一定規模のチップ試作が不可欠とされる半導体回路技術の国際会議「International Solid−State Circuits Conference(ISSCC)」に…
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