キーワード〜パワー半導体
日経エレクトロニクス　第1021号　2010.1.11

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掲載誌	日経エレクトロニクス　第1021号（2010.1.11）
ページ数	1ページ　（全909字）
形式	PDFファイル形式　（213kb）
雑誌掲載位置	114ページ目

　インバータやコンバータといった電力変換器でスイッチングに用いるＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ），ダイオードを意味する。これを，現在主流のＳｉ製素子ではなくＧａＮやＳｉＣといった化合物半導体を利用した素子に変更しようとする動きが強まっている。Ｓｉ製素子を使った電力変換器では望めない大幅な効率向上や小型化が見込めるからだ。　ＧａＮやＳｉＣを使ったパワー半導体には高価とい…