ＮＥレポート〜シリアル伝送と専用線の追加で，ＳＤメモリーカードを３００Ｍバイト／秒に
日経エレクトロニクス 第1016号 2009.11.2
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1016号（2009.11.2） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1193字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （162kb） |
| 雑誌掲載位置 | 14ページ目 |
２０１０年春を目標に策定中の，ＳＤメモリーカードの次世代仕様「ＳＤ Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｖｅｒｓｉｏｎ ４．００」（仮称）において，高速伝送用の専用端子を追加する案が浮上している（表１）。ＬＶＤＳによる差動伝送を導入し，データの読み出し／書き込み用バス（以下，ＳＤバス）の最大データ伝送速度を，現行の最大１０４Ｍバイト／秒から３００Ｍバイト／秒まで引き上げるためだ注１）。 加えて，このシリ…
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