特集１ ３次元メモリ〜３次元メモリ ＴビットＮＡＮＤフラッシュに道，チップ上でメモリ・セルを積層
日経エレクトロニクス 第1013号 2009.9.21
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1013号（2009.9.21） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2575字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （598kb） |
| 雑誌掲載位置 | 32〜33ページ目 |
「現行のＮＡＮＤフラッシュ・メモリの微細化はどこまで続くのか」。この問い掛けに対して，ＮＡＮＤフラッシュ・メモリの２大メーカーである韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．と東芝は，そろって「２Ｘｎｍ世代」と答えている。２Ｘｎｍ世代の量産は２０１１〜２０１２年に始まることを考えると，早ければ２０１３年ごろには微細化に代わる新たな大容量化手法が必要になる。その有力候補が，メモ…
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