特報〜ＩＢＭ連合が２２ｎｍ世代を開発Ｉｎｔｅｌは３２ｎｍ世代を年内量産へ
日経エレクトロニクス 第995号 2009.1.12
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第995号（2009.1.12） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2814字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （555kb） |
| 雑誌掲載位置 | 12〜13ページ目 |
２００８年１２月１５〜１７日に米国のサンフランシスコ市で開催された半導体技術の国際学会「２００８ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ ２００８）」。毎年，最新の半導体製造技術が集うこの学会で，今回は半導体製造大手がリーク電流を大幅に低減する「高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）絶縁膜／メタル・ゲート（ＨＫＭＧ）」技術†の採用で足並みをそろえ，量産可能かそれ…
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