特報〜次世代パワー半導体ＳｉＣ，いよいよクルマに
日経エレクトロニクス 第988号 2008.10.6
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第988号（2008.10.6） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2831字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （863kb） |
| 雑誌掲載位置 | 16〜17ページ目 |
次世代パワー半導体ＳｉＣの自動車への搭載が，にわかに現実味を帯びてきた。日産自動車はＳｉＣダイオードを採用したインバータ回路を試作し，同社の燃料電池車「Ｘ−ＴＲＡＩＬ ＦＣＶ」に搭載して走行実験を開始した（図１（ａ））。一方，本田技術研究所は，コンバータ回路やインバータ回路で使われるダイオードやトランジスタを，Ｓｉ製からＳｉＣ製にすべて置き換えた「オールＳｉＣ」の高出力パワー・モジュールを試作し…
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