特報　深層〜ＩＢＭの新半導体プロセス，配線間を真空で絶縁
日経エレクトロニクス　第953号　2007.6.4

　Ｃｕ配線，ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　ｉｎｓｕｌａｔｏｒ），ひずみＳｉ…。半導体プロセス技術の分野でこれまで数々の革新技術を実用化してきた米ＩＢＭ　Ｃｏｒｐ．が，またしても大仕事をやってのけた。論理ＬＳＩ内部の配線間を，現在の低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜の代わりに「真空」で絶縁するプロセス技術の実用化にメドを付けた（図１）。半導体業界で「Ａｉｒｇａｐ（空隙）」と呼ばれる技術である。比誘電率…