特報〜４５ｎｍ世代ＬＳＩ量産でＴＳＭＣはなぜ先陣を切れるのか
日経エレクトロニクス　第950号　2007.4.23

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掲載誌	日経エレクトロニクス　第950号（2007.4.23）
ページ数	2ページ　（全2840字）
形式	PDFファイル形式　（283kb）
雑誌掲載位置	10〜11ページ目

　従来の６５ｎｍ世代の論理ＬＳＩに比べて，ゲート密度は約２倍。動作時電力を約２７％，待機時電力を約９％削減しつつ，回路の動作速度を約１０％向上できる（表１）。　Ｓｉファウンドリー最大手の台湾Ｔａｉｗａｎ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　Ｃｏ．，Ｌｔｄ．（ＴＳＭＣ）は，４５ｎｍ世代のプロセス技術に基づく論理ＬＳＩの量産を２００７年９月に開始すると発表した。このプロセス技術を利…