Ｌｅａｄｉｎｇ Ｔｒｅｎｄｓ〜ＤＲＡＭ混載しのぐ新型ＳｉＰ 高速・大容量を安価に
日経エレクトロニクス 第939号 2006.11.20
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第939号（2006.11.20） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全9031字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （623kb） |
| 雑誌掲載位置 | 67〜74ページ目 |
デジタル家電や携帯機器，サーバーやルータなど幅広い分野の機器を安価に高性能化できる半導体実装技術「ＣｏＣ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｃｈｉｐ）」が登場した。５１２Ｍビットや１Ｇビットといった大容量のメモリを，論理ＬＳＩと一緒に１パッケージ内に収納できる。メモリ・チップと論理ＬＳＩの間のデータ伝送速度は，数Ｇ〜数百Ｇビット／秒と高い。 今まで，１パッケージ内にメモリと論理回路を収めたい場合は，ＤＲＡＭ混載技…
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