Ｇｕｅｓｔ Ｐａｐｅｒ〜 １００Ｍバイト／秒で書ける フラッシュ・メモリを開発
日経エレクトロニクス 第938号 2006.11.6
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第938号（2006.11.6） |
|---|---|
| ページ数 | 12ページ （全16972字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （531kb） |
| 雑誌掲載位置 | 137〜148ページ目 |
味香 夏夫ＧＥＮＵＳＩＯＮ デバイス技術シニア・マネージャー宿利 章二同社 デバイス技術シニア・エンジニア小林 和男同社 設計シニア・マネージャー三原 雅章同社 設計シニア・エンジニア川尻 良樹同社 設計シニア・エンジニアデジタル・カメラから携帯型音楽プレーヤー，携帯電話機へ拡大してきたフラッシュ・メモリの用途開拓はとどまるところを知らない。次なる狙いはノート・パソコンなどのＨＤＤの代替や，ビデオ…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 550円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「12ページ（全16972字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｌｅａｄｉｎｇ Ｔｒｅｎｄｓ〜高級路線に挑む白物家電
Ｌｅａｄｉｎｇ Ｔｒｅｎｄｓ〜誰が電気自動車を普及させるのか
ＮＥＴｓ 次世代光ディスク向け対話型操作機能（最終回）〜ＨＤｉアプリケーションの作成法 オーサリング・ツールを使って実践
ＮＥＴｓ ＴＤＲ／ＴＤＴ測定の基礎（２）〜ＴＤＲ／ＴＤＴ測定の基礎（２）
Ｔｅｃｈ Ｔａｌｅ Ｗ−ＺＥＲＯ３は８カ月で創られた 第１回〜安心しろ，絶対に間に合わない
